标题：IXYS艾赛斯IXYN110N120A4功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYN110N120A4功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，它集成了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的开关特性与双极性晶体管的特性。这种器件在电力电子应用中具有广泛的应用，特别是在工业、电源和电机控制等领域。 二、技术特点 IXYS艾赛斯IXYN110N120A4功率半导体IGBT的主要技术特点包括高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性以及高可靠性。它的开关速度非常快，能够在极短的时
标题：Infineon(IR) IHW15N120E1XKSA1功率半导体IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247的技术和方案应用介绍 一、引言 随着电力电子技术的不断发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司推出的IHW15N120E1XKSA1功率半导体IGBT，以其独特的NPT/TRENCH结构，1200V的耐压等级以及30A的电流容量，在各种高功率电子设备中具有广泛的应用前景。本文将介绍IHW15N120E1XKSA1的特性
PNP硅平面中等功率晶体管
2024-06-16产品规格 产品属性 属性值 搜索类似 产品分类： 双极晶体管 - BJT RoHS指令： 细节 安装方式： 通孔 包装/案例： TO-92-3 晶体管极性： PNP 组态： 单 集电极 - 发射极电压VCEO Max： -100V 集电极 - 基极电压VCBO： - 120 V 发射极 - 基极电压VEBO： - 5 V 集电极 - 发射极饱和电压： - 0.3 V 最大直流集电极电流： 1 A. 增益带宽产品fT： 150 MHz 最低工作温度： - 55 C. 最高工作温度： + 150
标题：IXYS艾赛斯IXYL60N450功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下，IXYS艾赛斯公司的IXYL60N450功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，成为了众多电力电子设备制造商的首选。 IXYS艾赛斯公司的IXYL60N450功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流、高效率等特点的器件。其核心参数包括：最高工作电压为4500V，最大电流为90A，工作功率为417W，以及封装形式为I5-PAK。这
标题：Infineon(IR) IKWH30N65WR6XKSA1功率半导体IGBT及其TRENCH技术的应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKWH30N65WR6XKSA1功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，成为了市场上的明星产品。其采用的TRENCH技术更是为这款产品增添了诸多优势。 首先，我们来了解一下IKWH30N65WR6XKSA1这款产品。它是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有高耐压、大电流
PNP硅平面介质功率 大电流晶体管ZTX951
2024-06-15ZTX951PNP硅平面介质功率 大电流晶体管 4安培持续电流 最高15安培峰值电流 非常低的饱和电压 高达10安培的卓越增益 提供SPICE型号 绝对最大额定值。 参数符号值单位 集电极基极电压VCBO-100V 集电极-发射极电压VCEO-60 V 发射极基极电压VEBO-6 V 峰值脉冲电流Icm-15 A 连续集电极电流IC-4 A 实际功耗*ptotp 1.58 W Tamb=25°C时的功耗ptot 1.2 W 工作和储存温度范围tj:tstg-55至+200°C *假设设备以典型
低功率窄带放大器 -YD336
2024-06-15YOUDA INTEGRATED CIRCUITYD3361 低功率窄带放大器 -YD3361 描述 YD3361包括振荡器，混频器，限幅放大器，正交鉴频器，有源滤波器，静噪， 扫描控制和静音开关。 该器件设计用于FM双转换通信设备。 特征 *采用2.0至7.0 V电源供电。 *低漏极电流3.9 mA典型值@ VCC = 4.0 Vdc。 *出色的灵敏度：输入限制电压（-3.0 dB）典型值2.6μV。 *所需外部零件数量少。 *工作频率高达60 MHz。 框图 YOUDA INTEGRATE
标题：IXYS艾赛斯IXBF20N360功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司是全球领先的功率半导体解决方案提供商，其IXBF20N360功率半导体IGBT是一款备受瞩目的产品。这款IGBT具有3600V和45A的强大性能，适用于各种工业和电源应用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBF20N360功率半导体IGBT的基本技术。这款IGBT采用了先进的工艺，具有高耐压、大电流和大开关速度等特性。其内部结构包括多个子模块，这些子模块在电压和电流上分别达到了极高的水平。此
标题：Infineon(IR) AIKB40N65DH5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体DISCRETE SWITCHES在各个领域的应用越来越广泛。其中，Infineon(IR) AIKB40N65DH5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES以其卓越的性能和解决方案，在市场上备受瞩目。本文将详细介绍这款产品的技术特点及方案应用。 一、技术特点 Infineon(IR) AIKB40N65DH5ATMA1