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标题：IXYS艾赛斯IXDH20N120D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXDH20N120D1是一款功率半导体IGBT，其特点是工作电压低、电流容量大、热稳定性高，适用于各种电源系统。这款器件的最大特点在于其工作电压为1200V，最大电流为38A，最大功率为200W，封装形式为TO247AD，使其在空间受限的环境中仍能发挥出色的性能。 二、方案设计 使用IXDH20N120D1的方案设计应充分考虑其性能特点，如需在高温、高电压、大电流的工作环境下使用，应采取