EPC推出功率级集成电路，专为48V DC/DC转换而设计
2024-06-25EPC2152是一个单晶驱动器并配以基于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）、采用EPC专有的氮化镓集成电路技术的半桥功率级。在单芯片上集成输入逻辑界面、电平转换电路、自举充电电路、栅极驱动器的缓冲电路及配置为半桥器件的输出氮化镓场效应晶体管，从而实现芯片级LGA封装、细小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。 当48 V转到12 V的降压转换器在1 MHz的开关频率下工作，EPC2152 ePower 功率级集成电路可实现高于96% 的峰值效率，相比采用多个分
标题：IXYS艾赛斯IXYX140N120A4功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYX140N120A4功率半导体IGBT，以其出色的性能和可靠的质量，成为这一领域的佼佼者。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYX140N120A4的特性。这款IGBT是一种双极性功率半导体，具有较高的开关速度和较低的损耗，适用于各种需要高效率、高功率密度的电子设备。其工作电压高达1200V，电流容量为140A，这意味
标题：Infineon(IR) IKW08T120FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 Infineon(IR)的IKW08T120FKSA1功率半导体IGBT是一种高性能的功率电子器件，适用于各种高电压和大电流应用场景。该器件采用TO-247-3封装，具有1200V的耐压和16A的额定电流，适用于各种工业、电力电子和电动汽车等应用领域。 二、主要技术特点 1. 高压性能：IKW08T120FKSA1具有1200V的耐压，能够承受较大的电压波动，适用于需要高电压输出的设备。
标题：IXYS艾赛斯IXGK400N30A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXGK400N30A3功率半导体IGBT是一款具有极高性能的器件，其特点为300V、400A、1000W的规格，特别适合于各种需要大功率转换的电子设备。这款功率半导体器件采用了先进的TO264AA封装技术，使得散热性能和电气性能得到了有效的保障。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXGK400N30A3功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用了先进的半导体工艺，具有高耐压、大电流、转换效
标题：Infineon(IR) IKW30N60H3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的发展，电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。功率半导体器件作为电力转换的核心元件，其性能和可靠性直接影响着整个系统的运行效果。Infineon(IR)公司的IKW30N60H3FKSA1 IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种高效、可靠的功率半导体器件，在各种应用中发挥着关键作用。 IKW30N60N3FKSA1是一款600V、60A、187W的IGBT，其采用TO-247-3封装。这种
IXYS艾赛斯IXYA8N250CHV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍
2024-06-22标题：IXYS艾赛斯IXYA8N250CHV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术的应用领域越来越广泛，对高品质、高效率的功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYA8N250CHV功率半导体IGBT，以其卓越的技术特性和广泛的应用方案，在电力电子领域中发挥着重要的作用。 首先，让我们了解一下IXYS艾赛斯IXYA8N250CHV功率半导体IGBT的技术特性。这款IGBT采用先进的工艺技术，具有高开关速度、低损耗、高热导率等特点。其独特的结构设
标题：Infineon(IR) IHW40N65R5XKSA1功率半导体IGBT：技术与应用介绍 Infineon(IR)的IHW40N65R5XKSA1是一款高性能的IGBT，其技术规格包括650V的电压平台，80A的额定电流，以及TO247-3的封装形式。这款IGBT以其卓越的性能和紧凑的尺寸，广泛应用于各种工业和电力电子设备中。 首先，我们来探讨一下这款IGBT的技术特点。首先，它具有优异的导通性能，可以提供高效率和快速的开关性能。此外，它的栅极驱动电路采用了抗干扰和保护功能，能够保证系
标题：IXYS艾赛斯IXXH80N65B4H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXXH80N65B4H1是一款高性能的功率半导体IGBT，其技术规格包括650V、160A、625W。这款IGBT适用于各种需要大功率转换的电子设备，如逆变器、变频器、电机驱动等。TO247AD封装则为其提供了适当的散热解决方案，以确保其长期稳定的工作。 二、技术特点 IXXH80N65B4H1 IGBT的主要技术特点包括高输入阻抗、快速开关特性、高热稳定性等。其开关速度比其他同类产品更快
标题：Infineon(IR) IKWH30N65WR5XKSA1功率半导体IGBT及其TRENCH技术的应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKWH30N65WR5XKSA1功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，成为了市场上的明星产品。这款产品采用了Infineon(IR)独特的TRENCH技术，大大提高了其性能和效率。 首先，让我们了解一下IKWH30N65WR5XKSA1的特性。它是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（