标题：Infineon(IR) IKB30N65EH5ATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKB30N65EH5ATMA1功率半导体IGBT是一款具有TRENCH/FS 650V 55A D2PAK封装规格的器件。该器件在许多领域中有着广泛的应用，特别是在电力转换系统中，如电源、电机驱动器和太阳能逆变器等。 IKB30N65EH5ATMA1 IGBT的主要技术特点包括其650V的额定电压，以及高达55A的额定电流。这些特性使得它在高效率的电力转换中扮演着重要的
射频功放的功率优化及问题解决方案
2024-08-30引言 为争取更多的用户，全球3G网络基础设施在2008年已加速部署，其中在美国和欧洲的发展尤其快速。多家运营商都推出了相对廉价的无线数据计划，虽然这些计划在连接能力上有一定的限制，却增加了对网络应用软件的支持，如视频会议、互联网语音（VoIP）、简易邮箱和互联网浏览等，从而吸引用户使用。 随着手机的用途越来越广泛，用户对终端待机时间的要求不断增加，因此对电池能量的需求也相应上升，同时还不能影响通话时间。目前已推出的几款3G手机的使用时间都只有2小时~3.5小时，无法真正吸引终端用户。通话或连接
标题：IXYS艾赛斯IXA20I1200PB功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXA20I1200PB是一款功率半导体IGBT，它具有高电压、大电流、高效率的特点，适用于各种电子设备，如逆变器、开关电源等。这款IGBT采用TO220封装，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。 二、技术特点 IXA20I1200PB采用IXYS艾赛斯自主研发的先进技术，具有高可靠性、低损耗和高开关速度等优点。其工作电压为1200V，电流容量为33A，总功率为130W，使得它在高效率电
标题：Infineon(IR) IGB50N65H5ATMA1功率半导体IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术的应用领域越来越广泛，对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。在这其中，Infineon(IR)的IGB50N65N65TAMA1功率半导体IGBT以其卓越的性能和解决方案，在众多领域中发挥着重要作用。 首先，我们来了解一下这款IGBT的特点。IGB50N65N65TAMA1是一款高性能的功率半导体器件，其工作频率高，能承受高电压和大电流。其开通和关断时间快，损
标题：IXYS艾赛斯IXA12IF1200PB功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下，功率半导体器件，如IXYS艾赛斯IXA12IF1200PB IGBT，成为了关键的角色。IXA12IF1200PB是一款具有1200V、20A、85W特性的TO-220封装的功率半导体IGBT。 首先，我们来了解一下IXA12IF1200PB的特性。这款IGBT器件具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性以及高可靠性等优点。其工作频
标题：Infineon(IR) IGB30N60TATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IGB30N60TATMA1是一种高性能的功率半导体IGBT，适用于各种电源和电子设备。这款产品具有60A的电流容量和600V的额定电压，可提供高达187W的输出功率。其TO-263-3-2封装设计使得它在各种应用中都具有出色的热性能和机械稳定性。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合型半导体器件，具有开关速度快、热稳定性好、驱动电压低等优点。IGB30N60TATMA1
标题：IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，它具有650V的电压耐压和18A的电流容量，同时提供了高达50W的输出功率。这款器件以其出色的性能和广泛的应用领域，在电力电子系统中发挥着重要的作用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用了先进的工艺技术，具有高电压、大电流、低损耗和高可靠性等优点。它的开关速度非常
标题：Infineon(IR) IKD04N60RATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 Infineon(IR)的IKD04N60RATMA1是一种IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率半导体，专为600V、8A的应用而设计。其采用TRENCH/FS结构，具有高耐压、低导通电阻等特性，是现代电力电子技术的重要组成部分。 二、技术特点 1. 高耐压：IKD04N60RATMA1具有较高的耐压值，适用于需要高电压大电流的场合。 2. 低导通电阻：该器件的导通电阻较低，有助于提高功率转换
SiC功率器材篇之SiC半导体
2024-08-25SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，并且在器材制造时能够在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器材材料。 用于功率器材制造，4H-SiC 为适宜。 2. 功率器材的特征 高耐压功率器材的阻抗首要由该漂移层的阻抗组成，因此选用SiC能够得到单位面积导通电阻十分低的高耐压器材。 而Si材料中，为了改善随同高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，首要选用如IGBT（Insulated Gat
SiC功率器件篇之SiC SBD
2024-08-251. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。 2. SiC-SBD的正向特性 SiC-