SiC功率器件全因这一点而深受热捧
2024-08-24功率器材职业发展到IGBT(绝缘层栅双极晶体三极管)阶段，硅基器材的功能早已贴近极限，边际效益愈来愈高，而半导体材料器材工业链仍对大功率、高频率转化、高温实际操作、高功率等具有愈来愈多的要求，因而以SiC(碳碳复合材料)、GaN(氮化镓)等第三代半导体器材为要害的宽禁带功率器材变成了科学研究网络热点与新发展前景，并逐渐进到运用批量出产环节。 SiC功率器材功能长处 SiC功率半导体的发展趋势改善了输出功率电源开关器材的硬电源开关特色，抗压能够到达数十万伏，耐高温能够到达500℃之上。 功能长处
标题：IXYS艾赛斯IXYY8N90C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXYY8N90C3功率半导体IGBT是一种重要的电力电子半导体器件，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有较高的开关频率和良好的热稳定性，因此在高频、大功率的电源和变频器等领域得到了广泛的应用。 二、技术参数 该器件的主要技术参数包括：900V的额定电压，20A的额定电流，以及125W的额定功率。这些参数决定了其在各种应用中的性能和可靠性。 三、应用方案 1. 电源模块：IXYS艾赛
标题：Infineon(IR) IKZA75N65SS5XKSA1功率半导体：技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKZA75N65SS5XKSA1功率半导体是一种高效、可靠的功率电子器件，其在工业4.0和智能电网等领域的广泛应用中发挥着重要作用。本文将深入探讨该器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 IKZA75N65SS5XKSA1功率半导体采用Infineon(IR)独特的功率MOSFET技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其采用先进的栅极驱动技术，能够实现更快速的控制响应，
贴片电感与功率电感的差异
2024-08-23在电子元器件的电感系列中，有着两大从外形和特性分明的产品，那便是贴片电感和功率电感，前者的外形存在一定的格局，而后者更注重性能，所以区别还是很明显，接下来就简单剖析解说一下。 贴片电感，又称为片式电感器。是电感器中的一种结构方式;在电路中首要起扼流;退偶;滤波;调谐;推迟;补偿等作用。而功率电感首要是由磁芯和铜线组成;分为带磁罩和不带磁罩的两种封装办法;或叫屏蔽式功率电感和敞开式功率电感;功率电感在电路中首要起到滤波和振荡的作用。贴片电感与功率电感的首要性能指标有;电感量与答应误差、温度系数、
电阻功率或电压瞬间过大,电阻会烧坏吗？
2024-08-23电阻瞬间功率过大，或者是电压过大，会不会烧坏？ 其实主要是在一些开关电路，在开关的时候，因为寄生电容或是电感的存在，可能会对电阻有一个瞬间的冲击。这个瞬间，电阻功率可能会很大，如果还以电阻额定功率来限制的话，就有点强人所难了。 电阻也一样，瞬间功率超过电阻的额定功率，只要超过的时间够短（剂量不够），并不一定会烧坏电阻。那如何衡量这个能力呢？我们打开下面这个链接就知道了。https://www.yageo.com/zh-CN/Download/Index/technical_documents?
标题：IXYS艾赛斯IXBX75N170功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXBX75N170功率半导体IGBT作为一种重要的功率电子器件，在电力转换和控制中发挥着关键作用。本文将详细介绍IXBX75N170的技术特点和方案应用。 首先，我们来了解一下IXBX75N170的基本参数。该器件的电压规格为1700V，电流规格为200A，总功率为1040W。这些参数表明，IXBX75N170适用于需要高电压、大电流和高功
标题：Infineon(IR) IKW75N65SS5XKSA1功率半导体器件的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKW75N65SS5XKSA1功率半导体器件是一款高性能的功率半导体，其技术特点和方案应用在业界备受瞩目。本文将详细介绍该器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高效率：IKW75N65SS5XKSA1器件采用先进的功率MOSFET技术，具有高开关速度和低导通电阻，能够显著提高系统的效率和可靠性。 2. 高可靠性：器件采用先进的封装技术，具有高耐压、高电流和长
标题：IXYS艾赛斯IXBX25N250功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXBX25N250是一款高效能的功率半导体IGBT，适用于各种工业和电源应用，如UPS、逆变器、电机驱动和风能等。其出色的性能，如2500V、55A、300W的额定参数，使得它成为市场上的佼佼者。 二、技术特点 IXBX25N250采用PLUS247技术，这是一种IXYS艾赛斯特有的封装技术，旨在提供最佳的热性能和电气性能。PLUS247技术使芯片在封装中更均匀地分布，以实现更低的热阻和更高的功
标题：Infineon(IR) IKZA50N65SS5XKSA1功率半导体器件在工业14领域的独特技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKZA50N65SS5XKSA1功率半导体器件是一款适用于工业14领域的独特产品。这款器件凭借其独特的Infineon(IR)的技术，提供了高效率、低能耗和高度可靠的性能，成为了工业领域中的重要一员。 首先，我们来了解一下这款器件的技术特点。IKZA50N65SS5XKSA1采用了先进的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术，具有高输入阻抗、低导通压降