标题：IXYS艾赛斯IXGH48N60A3D1功率半导体IGBT 600V 300W TO247AD的技术和方案应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXGH48N60A3D1是一款高性能的功率半导体IGBT，其额定电压为600V，最大电流为300W，适用于各种需要大功率转换的电子设备。TO247AD是该器件的封装形式，具有高效散热和良好电气性能的优点。 二、技术特点 1. IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合型功率半导体器件，具有开关速度快、输入输出电容小、耐压高、电流大等特点。 2. IX
标题：Infineon(IR) IKY40N120CS6XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。作为电力转换的核心器件，功率半导体IGBT在各种应用场景中发挥着至关重要的作用。Infineon(IR)的IKY40N120CS6XKSA1功率半导体IGBT以其独特的技术和方案应用，在电力转换领域中独树一帜。 IKY40N120CS6XKSA1是一款具有TRENCH/FS技术的1200V 80A TO247封装的IGBT。其突出的特
标题：IXYS艾赛斯IXXH30N60C3D1功率半导体IGBT：60V 60A 270W TO247的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司生产的IXXH30N60C3D1功率半导体IGBT，以其优秀的性能和适中的电压/电流容量，成为众多应用场景的理想选择。 IXXH30N60C3D1采用TO-247封装，这是一种广泛应用的封装形式，适用于各种功率半导体器件。其工作电压为60V，电流容量为60A，总功率为270W，具有较高的
标题：Infineon(IR) IKW75N65EH5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKW75N65EH5XKSA1功率半导体IGBT是一种高效、可靠的功率电子装置，具有独特的技术和方案应用。该器件采用TRENCH 650V技术，能够提供高达90A的电流容量，适用于各种工业和汽车应用场景。 首先，IKW75N65EH5XKSA1的栅极驱动电路采用先进的电荷管理技术，确保在高速开关条件下仍能保持良好的性能。此外，该器件还具有低导通电阻和低损耗特性，有助于提
标题：IXYS艾赛斯IXYP60N65A5功率半导体IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYP60N65A5功率半导体IGBT，以其出色的性能和稳定的运行，成为了市场上的明星产品。这款器件采用650V 60A X5 XPT TO-220封装，具有高效率、高可靠性、低损耗等优点，被广泛应用于各种工业和家用电器中。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP60N65A
标题：Infineon(IR) IKW50N60TFKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术的应用领域越来越广泛，对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。Infineon(IR)的IKW50N60TFKSA1功率半导体IGBT，以其独特的TRENCH/FS 600V 80A TO247-3技术，为各类电力电子设备提供了强大的支持。 首先，我们来了解一下IKW50N60TFKSA1的特点。这款IGBT采用先进的TRENCH工艺，具有高开关速度、低导通电阻和良好的
标题：IXYS艾赛斯IXA12IF1200HB功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXA12IF1200HB是一款功率半导体IGBT，其工作电压为1200V，电流容量为20A，最大功率为85W。这种功率半导体器件在各种电力电子应用中发挥着关键作用，如逆变器、变频器、电源转换等。 二、技术特点 IXA12IF1200HB IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的技术，包括高饱和速度、高栅极电压、高可靠性和高温度性能。这些特性使得IXA12IF1200HB在高温和高电压条件下仍能保
标题：Infineon(IR) IKW50N60H3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKW50N60H3FKSA1功率半导体IGBT，以其独特的技术和方案应用，为电力转换和控制领域带来了革命性的改变。 IKW50N60H3FKSA1采用TRENCH/FS 600V技术，这是一种创新性的设计，能在保持低导通电阻的同时，实现高耐压和良好的电流能力。这款IGBT模块具有100A的额定电流，适用于
2030年超50%汽车功率器件芯片用碳化硅SiC!
2024-05-14据DIGITIMESResearch观察称，碳化硅（SiC）功率器件应用领域以电动汽车为大宗，2030年汽车芯片应用超8成，主因电动汽车(指纯电动汽车及插电式混合动力车)渗透率届时将超过5成；电动汽车各部件导入将相应增加。 因电动汽车对SiC需求大增，导致6英寸SiC晶圆供应吃紧。为此SiC大厂积极布局旨在缓解供货吃紧。但6英寸SiC晶圆未来价格欲降不易，为提供更多SiC产能及进一步降低成本，如果使用8英寸SiC晶圆将有利于单位器件成本降低17%，为此国际IDM大厂都在布局8英寸SiC晶圆产能