2 月 23 日消息，据台湾地区经济日报报道，有分析师认为，今年下半年在消费性电子需求不进一步恶化的前提下，内存芯片NAND Flash 价格有望在今年第三季度止跌。 

台媒指出，NAND Flash 为闪存，应用范围比 DRAM 更广，被大量使用在各种产品上。全球通货膨胀影响消费性终端产品需求量，內存大厂铠侠、美光、SK 海力士等陆续宣布减产后，三星在上月底终于松口，本季度会主动降低产能。 

    TrendForce 集邦咨询今年 1 月表示，由于多数供应商已开始减产， 芯片采购平台2023 年第一季度 内存芯片NAND Flash 价格季跌幅将收敛至 10%-15%，削价竞争也在原厂启动减产后获控制。    内存芯片NAND Flash 历经 2022 下半年剧烈跌价，促使供应商积极减产，加上相较内存芯片DRAM 具有较高的价格弹性，TrendForce 集邦咨询预计内存芯片NAND Flash 价格下行周期会较 DRAM 提前终止。 

NAND Flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 

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