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对于已经知道了电容的具体特性和适用范围,以及去耦原理,那么就知道了去耦的具体方法了吗?不是的,下面我们电子商城官方网站将讲解一下,具体安装到电路板上之后的去耦原理以及具体如何防止电容的准则! 实际贴片上的电容的特性 上一节我们已经讲到电容的具体特性,但是等我们装配到电路板上之后电容的特性会保持和他之前的具体参数一致吗? 答案是否定的! 当电容具体安装到电路板上之后,还会引出额外的寄生参数,从而引起具体的谐振频率的偏移。充分理解电容的自谐振频率与安装谐振频率非常重要。在计算具体参数时,我们需要参
穿心电容是电容的一种,它是三端电容,作用是消除高频。不像普通的三端电容,穿心电容它是直接安装在金属面板上,这样一来接地电感更小,对于引线电感的影响几乎可以忽略不计,因此,穿心电容有很好的滤波作用,对于电磁干扰抑制效果也就越好,特别是对于工作频率高的电子设备。 一、穿心电容穿心电容是电容的一种,它是三端电容,作用是消除高频。不像普通的三端电容,穿心电容它是直接安装在金属面板上,这样一来接地电感更小,对于引线电感的影响几乎可以忽略不计,因此,穿心电容有很好的滤波作用,对于电磁干扰抑制效果也就越好,
本文将探讨在设计降压(buck或step-down)变换器时哪些参数最重要,以及如何将其与可用的最佳电感配对。我们还将学习如何计算基本参数,并解释开关模式电源IC和电感的一些参数要求,包括纹波电流、电感 (L)、饱和电流 (ISAT) 和额定电流 (IR)。当今电子行业近10 年来,消费者越来越期望技术使他们的生活更轻松。与此同时,普通家庭的电子产品数量也在增加。不断增多的连接和电子设备选择意味着这些设备必须更加高效才能保持竞争力。对电源设计人员来说,要支持消费者在电子产品使用方面的这些转变,
保险电阻在一切正常状况下具备一般电阻的作用,一旦电路出現常见故障,超出其额定值功率时,它会在要求時间内断掉电路,进而做到维护其他电子器件的功效。保险电阻分成不能修补型和可修补型二种。接下去冠发高新科技就而言说商业保险电阻的特性及其和一般电阻的差别。 作用 在电路图上起着保险管和电阻的双向功效,关键运用在电源电路輸出和二次开关电源的輸出电路中。他们一般以低电阻值(几欧母至几十欧母),小功率(1/8~1W)为多,其作用便是在过电流时立即融断,维护电路中的其他元器件免受毁坏。 在电路负荷产生短路故障
3月31日据台积电内部公告,为支持公司全球化扩张以及加速海外营运组织之效能,将自今日起增设海外营运办公室(OverseasOperationsOffice,OOO),由营运组织资深副总秦永沛、业务开发组织资深副总张晓强以及负责亚利桑那相关业务之企业策略办公室资深副总RickCassidy共同领导。 其核心团队包括营运、质量暨可靠性、企业规划、资材管理、信息技术、财务、法务及人力资源等各组织专业人员,共同加速整合海外营运之组织效能。台积电目前的主要大客户是:苹果、联发科、AMD、高通、博通、Nv
4月7日消息,三星电子公布了第一季度业绩,营业利润预计暴跌 95.8%,低于分析师的预期。因为内存芯片供过于求情况恶化,买家在全球经济放缓的情况下放缓采购。 三星电子预计 2023 年第一季度营业利润为 6000 亿韩元(当前约 31.32 亿元人民币),同比下降 95.8%;销售额为 63 万亿韩元(当前约 3288.6 亿元人民币),同比减少 19%。三星电子表示,该公司将“有意义地”削减芯片产量。 在宣布减产消息后,三星电子的股票在早盘交易中上涨 3%,而其竞争对手 SK 海力士公司的股

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2024-03-11
常见的一级指针参数 先来看一个最常用函数模型,函数func()参数为一个uint8_t 的指针类型,那这个函数有什么作用? uint8_t data1[3];void func(uint8_t *p){p[0]=0x01;p[2]=0x02;}void main(){uint8_t *p1=data1;func(data1);} 在main函数中先定义了一个指针p1,然后把p1指向了一个数组data1。把p1作为参数传递进函数func()结果也很容易猜到,就是data1中的值在func运行时被改
英特尔控股的自动驾驶技术开发商Mobileye在1月4日发布警告,预计该公司将在2024年第一季度面临客户订单的大幅下滑。Mobileye在其展望报告中指出:“随着供应链担忧的缓解,我们预计客户将在今年第一季度消耗大部分库存芯片,这意味着他们订购新芯片的数量将无法达到去年同期水平。” 这一预测表明,尽管Mobileye在自动驾驶技术领域具有领先地位,但仍然受到全球半导体市场波动和供应链不确定性的影响。由于客户订单减少,Mobileye可能会面临收入和利润的下滑,这将对公司的财务状况和未来发展产
近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。 据知情人士透露,三星已经预告将从2024年第一季度开始上调DRAM报价,涨幅至少为15%。尽管目前尚未有确切消息,但NAND Flash闪存的涨幅预期也将有所上调,这意味着内存市场的整体价格上涨趋势可能会持续到2024年底。 与此同时,另一家内存巨头美光也传出将在今年