篇之 相关话题

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的相互抑消作用使载流子的扩散电流增加惹起了正向电流。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种衔接方式，称为正向偏置。 PN结正偏时，外部电场的方向是从P区指向N区，显然与内电场的方向相反，这时外电场差遣P区的空穴进入空间电荷区抵消一局部负空间电荷，同时N区的自在电子进入空间电荷区抵消一局部正空间电荷，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱。 内电场的削弱使多数载流子的扩散运动得以加强，构成较大的扩散电流（扩散电流由

您有过这样的经历吗？设计电路时由于匆忙行事，而忽视了一些基本问题，结果使电路功能与预期不符。。。在交流耦合运算放大器或仪表放大器电路应用中，最常见的问题之一就是没有为偏置电流提供直流回路。今天小编就为大家论述下这个问题，并且提出一种超级实用的解决方案。拿走吧~ 运算放大器：如何为偏置电流提供直流回路错误示范 图1中，一个电容串接在一个运算放大器的同相(+)输入端。这种交流耦合是隔离输入电压(VIN)中的直流电压的一种简单方法，在高增益应用中尤为有用。在增益较高时，即使是放大器输入端的一个较小直

关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌电流的峰值大体能够通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确认，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。浪涌电流显著变大时，有或许会引起误动作和体系问题。并且，在超越最大额定电流时，有导致损坏的风险。通过与MOSFET Q1的栅极、

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，并且在器材制造时能够在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器材材料。 用于功率器材制造，4H-SiC 为适宜。 2. 功率器材的特征 高耐压功率器材的阻抗首要由该漂移层的阻抗组成，因此选用SiC能够得到单位面积导通电阻十分低的高耐压器材。 而Si材料中，为了改善随同高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，首要选用如IGBT（Insulated Gat

1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。 2. SiC-SBD的正向特性 SiC-

关于贴片电阻器的尺寸 贴片电阻器的外形尺寸有企业独有的称呼方式和mm、inch标记方式。代表性产品的尺寸互换表如下。 ***是产品名称（多连芯片除外） 什么叫电阻温度系数 关于电阻温度系数 所有物质随温度变化内部阻值会发生变化。电阻器也不例外，随温度变化阻值会发生变化。其变化比例称为电阻温度系数。单位为ppm/°C。根据基准温度条件下的阻值变化率和温度差，可以用下式求得电阻温度系数。电阻温度系数 (ppmppm/°C) = (R-Ra)/Ra÷ (T-Ta) × 1000000Ra: 基准温度