三星、LG抢攻医疗用成像设备市场
2024-08-29三星电子和LG电子在北美放射线医学会2018上展示多种新型医疗设备，三星电子主攻AI相关应用，LG则针对不同医疗环境推出多种专用显示器，虽然主打功能不尽相同，但都打算大举进攻医疗用成像设备市场。 25～30日在美国芝加哥举行的北美放射线医学会，目前是北美最大的放射线学会，约有5万5000名来自全球的医生和医疗相关人士来参加学术活动和展示会。 三星电子与专攻医疗领域的子公司三星Medison一起公开了超音波、电子X光、CT（计算机断层扫描）、MRI（核磁共振成像）等影像诊断仪器，其中主打三星独家
标题：三星CL05A475MP7NRB8贴片陶瓷电容CAP CER 4.7UF 10V X5R 0402的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展，贴片陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL05A475MP7NRB8贴片陶瓷电容，以其出色的性能和稳定的工作特性，成为众多电路设计中的关键元件。本文将围绕这款电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL05A475MP7NRB8贴片陶瓷电容，采用先进的陶瓷材料和高精度烧结技术，具有高介电常数和高绝缘性能。电容容量为4.7微
三星K4S561632N-LC60 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-28随着科技的飞速发展，内存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。三星K4S561632N-LC60 BGA封装DDR储存芯片作为一种高速度、高容量、高稳定性的内存产品，其技术和方案应用在各个领域中发挥着重要的作用。 一、技术特点 三星K4S561632N-LC60 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术，如DDR4 SDRAM，具有高速、低功耗、高稳定性等优点。该芯片采用了BGA封装方式，具有更高的集成度，更小的体积，更强的散热性能。此外，该芯片还采用了高速同步动态随机存取存储器（
三星K4S561632J-UI75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-28随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。其中，内存芯片作为电子设备的重要组成部分，其性能和稳定性直接影响着设备的运行速度和稳定性。三星K4S561632J-UI75 BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片，在各类电子产品中得到了广泛的应用。本文将围绕该芯片的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星K4S561632J-UI75 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。这种技术使得芯片的体积更小，散热性能更好，同时也提高了芯片的稳定性和可靠
英特尔已悄悄将MRAM商用？三星紧追其后
2024-08-26在第 64 届国际电子器件会议 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 Magnetic Random Access Memory，磁阻式随机存取存储，是一种非易失性存储技术，从 1990 年代开始发展。此技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非挥发性，容量密度及使用寿命不输 DRAM，但平均能耗远低于 DRAM，而且基本上可以无限次地重复写入。 英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在200℃下实现长达 10 年的记忆期，并可在
存储器走下坡，或拉低三星第四季度营收
2024-08-26韩国媒体报导，分析师周一表示，因芯片业务增长减缓，预期三星电子第4季的业绩较去年同期有所下滑。 韩国当地分析师预期，截至12月底的一季，韩国科技巨头三星电子的营业利润为13.9万亿韩元 ，去年同期为15.1万亿韩元，降幅为7.6%。三星电子第3季的营业利润为17.57万亿韩元。分析师补充指出，销售额估计为63.8万亿韩元，年减3.2%，上一季的销售额，65.46万亿韩元，三星预计于1月初公布其第4季初步财报数据。 第3 季受益于存储器产品和OLED 面板强劲的销售力道，三星总体营收受到带动，营
IBM 将使用三星的 7 纳米工艺制造 Power 和 z CPU
2024-08-26IBM 与三星晶圆厂签署协议，将使用三星的 7 纳米 EUVL 工艺制造它的下一代处理器，处理器将用于 IBM Power Systems、IBM z 和 LinuxONE Systems。IBM 此前的合作伙伴是 GlobalFoundries，在今年早些时候 GlobalFoundries 出人意料的宣布将放弃发展 7 纳米工艺。 这一决定影响到了它的长期合作伙伴 AMD 和 IBM，AMD 随后宣布将使用台积电的 7 纳米工艺制造它的下一代处理器，现在 IBM 宣布使用三星的 7 纳米工
标题：三星CL31B225KBHVPNE贴片陶瓷电容CAP CER 2.2UF 50V X7R 1206的技术与应用介绍 在电子设备的研发和生产中，贴片陶瓷电容作为一种重要的电子元件，发挥着不可或缺的作用。三星CL31B225KBHVPNE是一款典型的贴片陶瓷电容，其规格参数、技术特点和方案应用值得深入探讨。 首先，从规格参数来看，三星CL31B225KBHVPNE采用了1206的封装形式。这种封装形式具有体积小、功耗低、可靠性高等特点，适用于各类小型化、高集成度的电子设备。电容容量为2.2U
三星K4S561632J-UC75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-25随着科技的飞速发展，电子设备对内存的需求越来越大，DDR储存芯片在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星K4S561632J-UC75 BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片，以其出色的性能和稳定性，广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍三星K4S561632J-UC75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4S561632J-UC75 BGA封装DDR储存芯片采用最新的内存技术，具有以下特点： 1. 高速度：该芯片支持高达2400MT/s的速度，能够提
三星K4S561632H-UI75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-25随着科技的飞速发展，内存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。三星K4S561632H-UI75，一款采用BGA封装的DDR储存芯片，凭借其卓越的性能和稳定性，在各类电子产品中发挥着关键作用。本文将详细介绍三星K4S561632H-UI75的技术特点、方案应用及其优势。 一、技术特点 三星K4S561632H-UI75是一款高速DDR储存芯片，采用BGA封装技术。BGA，即球栅阵列封装，具有更高的集成度、更良好的散热性能和更稳定的电气性能。该芯片支持双通道内存模组，工作电压为1.2V，