中国VC机构模拟器件行业投资特征分析
2024-08-16得益于下游终端应用市场的庞大需求，中国模拟器件市场规模随着通信、新能源汽车、消费电子等行业的发展而扩大。2018年中国模拟器件市场规模约为2700亿元，同比增长近20%。为了分析中国VC机构模拟器件行业投资特征，电子发烧友通过整理公开投融资信息，梳理了207家模拟器件企业2000年至2019年7月的379起历史融资事件，所涉VC机构498家。本文将从模拟器件整体行业以及射频器件、功率器件、电源IC、混合信号四个细分领域进行调研并梳理，以供参考。注：部分企业有多种模拟器件产品一、模拟器件整体行业
vivo发布NEX 3 5G旗舰智能手机 无边框+64万像素
2024-08-08vivo的Nex 35G手机终于正式上市了。 无论您喜欢与否，5G行将到来，少数品牌曾经在特定市场提供兼容设备。推出5G潮流的最新产品是vivo及其NEX 3 5G，这是一款看起来并不太坏的旗舰智能手机。它装备了高通公司的顶级Snapdragon 855+芯片组，以及瀑布FullView曲面显现屏，三组后置摄像头（包括一个64万像素的摄像头），一个更快的弹出式前置摄像头和其他功用。这家手机品牌商曾经开端方案将这种设备带入欧美市场。 NEX 3 5G的呈现简直没有任何不测，由于自8月下旬以来vi
新型光子器件问世：有利于实现高能效的光通信
2024-08-01海洋中，从灯塔到船只的信号，是光通讯（用光传输信息）的早期范例之一。往常，集成光子器件范畴的研讨人员正用光通讯原理构建高科技设备，例如像闪电一样快速的计算机，它用光取代电。近日，美国特拉华大学电气与计算机工程系助理教授Tingyi Gu 指导的科研团队设计出一款集成光子器件平台。该平台具有一维超透镜和超外表，能够限制信息的损耗。近日，团队在《自然通讯（Nature Communications）》期刊上描绘了他们的设备。 超透镜是一种超薄透镜，能够在纳米尺度停止设计，并以特定的方式聚焦光线。
工信部：持续推进芯片、器件及IGBT模块产业发展
2024-07-31在当前复杂的国际形势下，工业半导体资料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的开展滞后将限制我国新旧动能转化及产业转型，进而影响国度经济开展。 10月8日，工信部网站发布《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案回答的函》，在回答函中，工信部就加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主开展的政策扶持、开放协作、关键技术打破、以及人才培育等四个方面做出了回答。 详细回答如下： 一、关于制定工业半导体芯片开展战略规划，出台扶持技术攻关及产业开展政策的倡议
1、产品介绍 GESD0504T5L是一款5V超低电容四通道ESD防护器件，GESD0505T5L是一款5V超低电容五通道ESD防护器件，该系列ESD防护器件旨在保护高速数据接口，专门设计用于保护连接到高速数据和传输线的敏感组件，使其免受ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压的影响。 2、产品特点 GESD0504T5L内含四条通道，每条通道对地电容均不高于0.8pF，工作电压为5V，可以同时为四条高速信号线提供单向保护。 GESD0505T5L内含五条通
半导体器件击穿分析及设计注意事项
2024-07-25半导体器件的击穿机理主要有两种：ESD电击穿和热击穿。电击穿是指强电场导致器件的击穿，这个过程通常是可逆的，当电压消失，器件电学特性会恢复。热击穿（二次击穿）则与电流有关，当正向导通时，电流超过一定限值（图示绿色区域之外），器件会发生热烧毁。 在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，漏源击穿电压BVDS的产生机理有两种：一是漏PN结的雪崩击穿，二是漏源两区的穿通。雪崩击穿是在加反向电压时，随着反向电压增加，PN结耗尽区反向电场增加，当电子（或者空穴）与晶格发生碰撞时传递给晶格的能量高
中芯国际表示疫情期间产能利用率达到100%
2024-06-253月21日，报道称国内最大的晶圆代工厂中芯国际表示，疫情期间公司生产经营正常，产能利用率100%，在京员工零感染。 中芯国际资深副总裁张昕表示，前期产业链上游企业供货和服务产生延迟，在各级政府的大力帮助和协调下，已经得到了基本解决，当前，中芯国际北京厂按照员工不同情况，分类管理，鼓励员工在疫情期间尽量轮休轮班、远程办公，必要人员返岗以保障生产，目前生产正常。 中芯国际在北京建有一座300mm晶圆厂和一座控股的300mm先进制程晶圆厂，在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm晶圆厂，以及一
PCB器件布局不是一件随心所欲的事
2024-06-21PCB器件布局并不是一件无拘无束的事，它有一定的标准必须大伙儿遵循。除开通用性规定外，一些独特的器件也也有不一样的布局规定。 套接器件的布局规定 1）弯/公、弯/母压接器件面的周边2mm不可有高过2mm的元器件，周边1.毫米不可有一切电焊焊接器件；在套接器件的背面距离套接器件的插针眼管理中心2.毫米范畴内不可有一切元器件。 2）直/公、直/母压接器件周边2mm不可有一切元器件；对直/公、直/母压接器件其反面需安裝护线套时，距离护线套边沿2mm范畴内不可布局一切元器件，不安裝护线套时距离套接孔2
WM8224具有多器件操作的60MSPS 3通道AFE
2024-06-12描述WM8224是一款模拟前端/数字转换器IC处理和数字化来自的模拟输出信号像素处的CCD传感器或接触式图像传感器（CIS）采样率高达60MSPS。该设备包括三个模拟信号处理每个通道都包含复位电平钳位，相关双采样和可编程增益和偏移调整功能。这些中的每一个的输出通道被时间复用为单个高速16位模数转换器。数字数据可在通过灵活的数据端口提供各种输出格式。内部4位DAC用于内部参考电平代。这可以在CDS期间用于引用CIS信号或在钳位期间钳位CCD信号。一个也可以提供外部参考水平。 ADC引用是在内部生
ADM2867E新器件具有低电磁辐射干扰
2024-06-11近日，ADI推出ADM2867E系列强化iCoupler隔离RS485+集成隔离式DC-DC转换器。这些新器件具有低电磁辐射干扰，能在尽量少的电路板返工和避免预算超支条件下满足EMC合规要求。相比ADI前一代产品以及竞争对手目前提供的产品而言，这款收发器采用简化的PCB布局，SOIC外形小巧，可以在空间有限的应用中集成更多功能。 这款隔离式RS485+集成式隔离电源收发器系列提供智能功能，可以缩短终端系统安装和调试的时间，以及轻松校正与安装有关的连接问题。凭借iCoupler数字隔离和IEC