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8月25日消息,据TrendForce最新研究显示,2023年第二季度DRAM产业营收约为114.3亿美元,环比增长20.4%,终结了连续三个季度的跌势。这一增长主要受益于AI服务器需求的攀升,带动HBM出货增长,以及客户端DDR5的备货潮。 分析师指出,三大原厂的出货量均有所增长,其中SK海力士的出货量环比增长超过35%,且平均销售单价(ASP)较高的DDR5、HBM出货占比显著增长。因此,SK海力士在本季度逆势成长7~9%,Q2营收环比增长近5成达34.4亿美元。 三星电子虽然DDR5制程
英伟达GPU芯片的内存带宽和容量:影响图形处理与计算能力的关键因素 随着科技的进步,英伟达GPU芯片已成为现代计算机图形处理和计算能力的重要支柱。这种芯片的性能,尤其是其内存带宽和容量,对图形处理能力以及计算性能有着显著的影响。 首先,内存带宽是英伟达GPU芯片的重要性能指标之一。它代表了芯片与系统内存之间交换数据的能力。较高的内存带宽意味着芯片可以更快速地获取和释放数据,从而在处理图形和计算任务时具有更高的效率。对于图形处理,更高的带宽可以确保更快的图像渲染速度和更流畅的游戏体验。对于计算任
RA8871ML4N是一款高性能的内存控制器芯片,广泛应用于各种嵌入式系统和物联网设备中。它的内存结构和分配策略是其性能和稳定性的关键因素。 首先,RA8871ML4N的内存结构主要由DDR3或DDR4内存芯片组成。这些芯片通过高速接口与控制器相连,提供大量的存储空间以满足系统的需求。内存结构的设计考虑了芯片的布局、通道数量和带宽等因素,以确保最佳的性能和稳定性。 其次,RA8871ML4N的分配策略基于内存池的概念。系统会根据需要动态分配内存池的大小,以适应不同任务的需求。分配策略包括按需分
在计算机系统中,CPU(中央处理器)和内存是两个至关重要的组件。CPU负责执行指令,处理数据,而内存则是CPU的临时存储设备,用于存储正在运行的程序和数据。CPU和内存之间有着密切的关系,它们之间的性能和兼容性直接影响着计算机的整体性能。 一、CPU和内存的关系 CPU和内存之间的关系可以说是相辅相成的。CPU需要从内存中读取数据才能执行指令,而内存的带宽、延迟和一致性都会影响CPU的性能。同样,CPU的性能也直接决定了内存的性能。现代CPU通常支持各种内存技术,如DDR3/DDR4,并且具有
在今日的科技世界中,内存市场的重要性不容忽视。作为数据存储的关键部分,内存不仅影响着计算机的性能,也与人工智能、云计算和物联网等新兴技术息息相关。美光科技,作为全球内存市场的领导者,以其卓越的技术实力和卓越的战略眼光,正塑造着全球内存市场的未来。 一、全球内存市场中的地位 美光科技在全球内存市场中占据着举足轻重的地位。作为一家全球性的半导体制造商,美光科技的产品涵盖了内存条、闪存条以及各种芯片,为全球范围内的计算机、移动设备和物联网设备提供关键的内存和存储解决方案。凭借其强大的生产能力和技术实
据台湾地区经济日报报道,有分析师认为,今年下半年在消费性电子需求不进一步恶化的前提下,内存芯片NAND Flash 价格有望在今年第三季度止跌。  台媒指出,NAND Flash 为闪存,应用范围比 DRAM 更广,被大量使用在各种产品上。全球通货膨胀影响消费性终端产品需求量,內存大厂铠侠、美光、SK 海力士等陆续宣布减产后,三星在上月底终于松口,本季度会主动降低产能。  TrendForce集邦咨询今年1月表示,由于多数供应商已开始减产,2023年第一季度内存芯片NANDFlash价格季跌幅
STM32系列微控制器以其强大的性能和低成本,广泛应用于各种嵌入式系统。为了充分利用STM32的性能,了解其内存和存储解决方案至关重要。 STM32系列MCU具有多种内存类型,包括内置SRAM、外部SDRAM、NOR/NAND闪存以及SPI/I2C接口的EEPROM/FLASH。这些内存类型提供了不同的性能和成本特性,适用于不同的应用场景。 内置SRAM是一种快速内存,适用于需要频繁访问临时数据的应用。外部SDRAM则提供了更大的内存空间,适用于需要大量数据存储和高速数据传输的应用。NOR/N
MCU单片机的内存类型和容量 一、存储器定义和类型 存储器是计算机中的重要部件,它负责存储和检索数据以及程序指令。根据使用类型,存储器可分为两种类型:只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)。 ROM,顾名思义,是一种只能读取、不能修改或删除数据的存储器。它的工作原理是通过在硅芯片上熔化或刻录数据来存储信息,因此信息是永久存储的。这种类型的存储器主要用于存储固件,如基本输入/输出系统(BIOS),以及需要永久保存的信息。 RAM,与ROM相反,是一种可以随时读取和写入数据的存储器。它的工
近日,三星电子在美建立尖端存储研发机构,专攻全新3D DRAM领域,力图保持其超强的科技竞争力。 据了解,该公司日前在美国加州硅谷成立的半导体美洲分部(DSA)已开始推行此项研发项目。该机构还计划积极招募全球最优秀的专家加入团队,携手推动存储产业的发展。 原有的DRAM采用2D结构,即大量元件密集排布在同一平面。然而,为了提升性能,储存行业正致力于开发高密度的3D DRAM。这项技术包括水平堆积和垂直堆积两种方式,均能有效地增加存储空间。 凭借2013年全球首发的、领先业界的3D垂直结构NAN
1 月 19 日消息公布,许多人对笔记本电脑板载内存存在不满,而在有限空间内增加替换式内存难度颇高。 为此,多家科技巨头正在研究新的解决方案——LPCAMM 内存,希望能解决上述问题。例如,美光公司在 CES 2024 上推出了全球第一款标准低功耗压缩附加内存模组(LPCAMM2),采用 LPDDR5X 内存,容量从 16GB 到 64GB 不等。 据美光透露,这种新型内存模组已经开始样品制作,预计 2024 年上半年就会实现批量生产。此外,美光还将为消费者供应基于 LPCAMM2 的英睿达内