欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IC芯片代理商-全球电子元器件采购平台 > 话题标签 > 超级

超级 相关话题

TOPIC

基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少的栅极和和输出电荷,这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前,高压器件的主要设计平台是基于平面技术。这个时候,有心急的网友就该问了,超级结究竟是何种技术,区别于平面技术,它的优势在哪里?各位客官莫急,看完这篇文章你就懂了! 图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻,并伴随相对更高的漏源电阻。使用
  NVIDIA (辉达) 今天宣布推出 17.7 版 PGI 2017 编译器与工具,协助高效能运算系统开发者针对搭载多核 CPU 与异质化 GPU 加速器的系统,开发出效能更高的软体,同时大幅简化程式设计流程。   即日释出的 PGI 17.7 编译器与工具的关键特点包括:    支援Tesla V100 GPU: PGI OpenACC 与CUDA Fortran现已支援新款NVIDIA Volta GV100 GPU,提供更多记忆体频宽、串流多重处理器、新一代NVIDIA NVLink
LTC®3110 双向降压-升压型 DC/DC 稳压器在接入一个总线电压 (例如:3.3V) 时对一个超级电容器进行充电和电荷平衡,而当总线发生故障时则把该超级电容器的存储电能释放至负载。LTC3110 保持总线的标称电平 (在图 1 所示的实例中为 3.3V),即使在超级电容器电压高于或低于标称总线电压的情况下也不例外。以这种方式支持负载可在电源中断期间容许数据备份和保存,这在众多工业和汽车应用中是很重要的。 外形扁平的数据备份电源工业和汽车应用的突出之处在于它们缺乏稳定、高质量的电压源。在