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因应节能减碳风潮，碳化硅(SiC)因具备更高的开关速度、更低的切换损失等特性，可实现小体积、高功率目标，因而跃居电源设计新星；其应用市场也跟着加速起飞，未来几年将扩展进入更多应用领域，而电源芯片商也加快布局脚步，像是英飞凌(Infineon)便持续扩增旗下CoolSiC MOSFET产品线，瞄准太阳能发电、电动车充电系统和电源供应三大领域。 英飞凌工业电源控制事业处大中华区应用与系统总监马国伟指出，相较于Si功率半导体，SiC装置更为节能；且由于被动元件的体积缩小，因此提供更高的系统密度。除了

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，并且在器材制造时能够在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器材材料。 用于功率器材制造，4H-SiC 为适宜。 2. 功率器材的特征 高耐压功率器材的阻抗首要由该漂移层的阻抗组成，因此选用SiC能够得到单位面积导通电阻十分低的高耐压器材。 而Si材料中，为了改善随同高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，首要选用如IGBT（Insulated Gat

1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。 2. SiC-SBD的正向特性 SiC-

功率器材职业发展到IGBT(绝缘层栅双极晶体三极管)阶段，硅基器材的功能早已贴近极限，边际效益愈来愈高，而半导体材料器材工业链仍对大功率、高频率转化、高温实际操作、高功率等具有愈来愈多的要求，因而以SiC(碳碳复合材料)、GaN(氮化镓)等第三代半导体器材为要害的宽禁带功率器材变成了科学研究网络热点与新发展前景，并逐渐进到运用批量出产环节。 SiC功率器材功能长处 SiC功率半导体的发展趋势改善了输出功率电源开关器材的硬电源开关特色，抗压能够到达数十万伏，耐高温能够到达500℃之上。 功能长处

IGBT混搭SiC SBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势：● 没有Si二极管的反向恢复损耗Erec● 降低30%以上IGBT的开通损耗Eon因此，在中小功率光伏与UPS等领域，IGBT混搭SiC SBD续流二极管具有较高性价比。此次，我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型，同样在Simetirx的仿真环境里，测试不同类型的续流二极管，对IGBT开通特性及Eon的影响。特别提醒仿真无法替代实验，仅供参考。选取仿真研究对象IGBT：650V/50A/S5、TO247-4pi