分析师：内存芯片NAND Flash价格有望在今年Q3止跌
2024-05-162月23日消息，据台湾地区经济日报报道，有分析师认为，今年下半年在消费性电子需求不进一步恶化的前提下，内存芯片NANDFlash价格有望在今年第三季度止跌。 台媒指出，NANDFlash为闪存，应用范围比DRAM更广，被大量使用在各种产品上。全球通货膨胀影响消费性终端产品需求量，內存大厂铠侠、美光、SK海力士等陆续宣布减产后，三星在上月底终于松口，本季度会主动降低产能。 TrendForce集邦咨询今年1月表示，由于多数供应商已开始减产，2023年第一季度内存芯片NANDFlash价格季跌幅将
铠侠和西部数据NAND存储器制造商合并后将超过三星
2024-04-246 月 6 日消息，据日本共同社报道，NAND存储器制造商铠侠和西部数据的合并谈判已进入最终调整阶段，铠侠将主导合并后的新公司。 铠侠之前脱胎于“闪存之父”东芝。路透社援引知情人士消息称，铠侠将对合并后的公司出资 43%、西部数据出资 37%，余下 20% 股权将由东芝等现有股东持有，合并后的新公司未来计划在东京交易所上市。 据报道，合并后新公司的营收规模有望超越三星，成为全球最大的 NAND 存储器制造商。由于使用于智能手机等用途的存储产品市况恶化、业绩低迷，因此双方希望合并以提高运营效率。
日本成功开发出NAND闪存芯片400层堆叠3D技术
2024-04-226月12日消息，据东京电子（TEL）发布的消息，宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3DNAND闪存芯片。 研究团队开发的新工艺，首次将电蚀刻应用带入低温范围，并开创性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。这项创新技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的蚀刻，与此前的技术相比时间大大缩短。东京电子表示，该技术的应用不仅有助于制造更高容量的3DNAND，还能够将全球变暖的风险减少84%。东京电子表示，开发这项技术的团队，将在6月11~16日于日本京都举办的2023年超
如何评估NAND闪存芯片的性能和可靠性
2024-04-09随着科技的飞速发展，NAND闪存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。它们被广泛应用于各种电子产品，如固态硬盘（SSD）、存储卡、U盘等。为了确保产品的性能和可靠性，我们有必要对NAND闪存芯片进行评估。以下是如何评估NAND闪存芯片的性能和可靠性的步骤。 一、性能评估 1. 读写速度：NAND闪存芯片的读写速度直接影响着电子产品的整体性能。通过测试芯片的读写速度，可以了解其在各种应用场景下的表现。 2. 耐用性：NAND闪存芯片在反复的读写操作中可能会受到磨损。因此，评估其耐用性至关
NAND闪存芯片与其他存储技术的比较优势和劣势是什么
2024-04-09随着科技的进步，存储技术也在不断发展。其中，NAND闪存芯片作为一种重要的存储介质，已经逐渐取代了传统的硬盘和软盘等存储设备，成为当今市场的主流选择。然而，与其他存储技术相比，NAND闪存芯片的优势和劣势是什么？本文将就此进行比较分析。 首先，从优势方面来看，NAND闪存芯片具有以下特点： 1. 速度快：NAND闪存芯片的读写速度远高于其他存储技术，这使得它在许多应用场景中表现出色，如移动设备和智能设备等。 2. 耐用性高：NAND闪存芯片的耐用性优于传统的硬盘和软盘等存储设备，不易受到物理损
NAND闪存芯片的未来发展方向和新兴应用领域有哪些?
2024-04-08随着科技的飞速发展，NAND闪存芯片在存储领域的应用越来越广泛。未来，NAND闪存芯片将继续发挥重要作用，并朝着更高性能、更低功耗、更小尺寸的方向发展。同时，新兴应用领域也将为NAND闪存芯片带来新的发展机遇。 首先，提高存储密度和降低成本是NAND闪存芯片的重要发展方向。随着人工智能、物联网、云计算等技术的快速发展，数据存储需求不断增加，这为NAND闪存芯片提供了广阔的市场空间。为了满足这一需求，厂商需要不断提高芯片的存储密度，并降低生产成本，以实现更广泛的应用。 其次，提高读写速度和降低功
NAND闪存芯片的市场竞争格局是怎样的?
2024-04-08NAND闪存芯片作为现代电子设备的重要组成部分，其市场一直处于高度竞争的状态。本文将探讨NAND闪存芯片的市场竞争格局，并分析主要因素对市场的影响。 首先，NAND闪存芯片市场主要由几个主要厂商主导，包括三星电子、铠侠（原东芝存储器）、SK海力士、美光科技和西部数据等。这些公司凭借其强大的研发实力、生产规模和成本控制能力，在市场中占据重要地位。然而，由于NAND闪存芯片技术门槛高，新进入者要想取得市场份额仍面临较大挑战。 其次，市场竞争格局受技术发展影响显著。随着NAND闪存技术的进步，新旧厂
NAND闪存芯片的生产工艺和技术难点有哪些?
2024-04-04NAND闪存芯片是当前存储市场的主流选择，其生产过程涉及到一系列复杂的工艺和技术。本文将探讨NAND闪存芯片的生产工艺和技术难点。 一、生产工艺 1. 晶圆制备：NAND闪存芯片的制作首先需要制备晶圆，即将半导体材料（通常是硅）切割成特定大小的片状。 2. 氧化：在晶圆表面施加一层二氧化硅薄膜，作为隔离层，防止不同晶体管之间的信号干扰。 3. 薄膜沉积：在二氧化硅薄膜上沉积一层较薄的金属层，作为电极。 4. 光刻：使用掩膜版和激光将电路图案刻在晶圆上。 5. 显影和蚀刻：利用化学溶液将不需要图
NAND闪存芯片的成本和价格趋势是怎样的?
2024-04-04NAND闪存芯片在当今电子设备中扮演着重要的角色，从智能手机、平板电脑到存储设备，它无处不在。随着技术的进步和需求的增长，NAND闪存芯片的成本和价格趋势也在不断变化。 首先，从成本的角度来看，NAND闪存芯片的主要成本包括原材料、生产设备、人工成本以及研发费用等。由于NAND闪存芯片的技术门槛较高，生产过程复杂，因此其制造成本相对较高。然而，随着技术的进步和生产规模的提升，NAND闪存芯片的成本有望进一步下降。 其次，从价格趋势来看，NAND闪存芯片的价格受到多种因素的影响，包括市场需求、生
NAND闪存芯片的安全性和可靠性问题如何解决?
2024-04-03随着科技的飞速发展，NAND闪存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。然而，由于其工作原理和结构特点，NAND闪存芯片的安全性和可靠性问题一直备受关注。本文将探讨这些问题，并提出一些可能的解决方案。 首先，NAND闪存芯片的安全性问题主要源于数据擦除和写入操作的频繁进行，这可能导致芯片的寿命缩短，甚至出现数据丢失的风险。此外，由于NAND闪存的固有特性，它也容易受到环境因素和人为操作的影响，如静电放电（ESD）和热冲击等。 解决NAND闪存芯片的安全性问题，可以从以下几个方面入手： 1