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色散谱应用中的图像传感需求超低噪声和高比特率的线性阵列图像传感器，以完成高灵活度和高速丈量。为了降低探测器的暗噪声并进一步进步丈量灵活度，需求一个热电冷却器（TEC）。为到达这些请求，还需求高性能电子器件来与传感器接口。从传感器采样数据需求具有低噪声、且快速树立时间的放大器和低噪声精细模数转换器（ADC）。TEC需求精细电流控制和限压，以便准确控制温度。电源管理电子器件必需可以提供TEC所需的高功率，以及采样电路所需的低噪声。最后，良好的PCB规划关于防止大功率电源的开关信号对精细采样电子器件

LTC1273/LTC1275/LTC1276为300ksps，采样12位A/D转换器，仅从单个5V或±5V电源中提取75mW。这些易于使用的设备配有600ns样品和保持架、精密参考和内部修剪时钟。单极和大孔模式为各种阳离子提供了灵活性。它们是用LTBiCMOS（TM）开关电容技术制造的。 这些装置的内部参考值为25ppm/℃（最大值）。LTC1273从一个5V电源将0V转换为5V单极输入。LTC1275/LTC1276分别从±5V电源转换为±2.5V和±5V。最大直流规格包括±1/2LSBI

RA8889ML3N是一款高性能的数字信号处理器，广泛应用于各种电子设备中。为了确保设备的正常运行和维护，获取RA8889ML3N的参考手册和技术文档是非常必要的。本文将介绍如何获取RA8889ML3N的参考手册和技术文档。 首先，您可以通过官方网站或相关技术论坛来获取RA8889ML3N的参考手册和技术文档。通常，这些文档会提供设备的详细规格、性能参数、电路图、软件库等重要信息。在官方网站上，您可能需要注册或购买相应的服务才能获取这些文档。在技术论坛上，您可能需要发布求助帖，寻求其他用户的帮

ZXMS6002GQ MOSFET - 制造商的描述。数据表。关键参数和特征。模拟搜索。目录 设备名称：ZXMS6002GQ 标记：ZXMS6002 晶体管类型：MOSFET 极性：N 最大功耗（Pd）：2.5 W. 允许的最大漏源电压（Uds）：60 V. 包含阈值电压Ugs（th）：2.1V 最大允许直流消耗（Id）：1.6 A. 最高通道温度（Tj）：150°C 耐漏极 - 源极开路晶体管（Rds）：0.5欧姆 外壳类型：SOT-223 ZXMS6002GQ的模拟（替换） ZXMS60

ADI首先就不是个做MCU的，就不是很在乎这个东西，然后就使用ARM的内核搞来搞去的，基于我的这种认识，我没有看什么教程，因为我找不到。（其实是因为我的IAR怎么也安装不上，老是没有离线安装这个选项，还是跑回来了这个Keli的怀抱） 所以这个东西我只能在Keli上面进行开发了。 而且这个片子怎么说呢，就是一个AFE+MCU，所以这个数据手册吧，还真就是说了28页的硬件参数，一点控制也不说。 要看的是这个东西 就M3~熟悉的呀 我不是闲的无聊截图这个，我的意思是要看上面是不是标准的M3内核。 仅

本文主要介绍Xilinx FPGA的GTx的参考时钟。下面就从参考时钟的模式、参考时钟的选择等方面进行介绍。 参考时钟的模式 参考时钟可以配置为输入模式也可以是输出模式，但是在运行期间不能切换。作为输入时，用于驱动Quad 或者channel PLLs，作为输出时，可以来自于同一个Quad中的任意一个channel。7系列的GTx只能作为输入，而Ultra和Ultra+系列的还可以作为输出。 作为输入模式时，7系列和Ultra是通过50Ω连接到4/5MGTAVCC上，Ultra+是通过50Ω连